Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
深谷 有喜; 前川 雅樹; 望月 出海*; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 505, p.012005_1 - 012005_6, 2014/04
被引用回数：1 パーセンタイル：51.08(Physics, Applied)反射高速陽電子回折(RHEPD)は、陽電子の全反射が存在するため、最表面を研究する上で非常に有力な手法である。全反射条件下では、陽電子の結晶表面への侵入深さは約0.2nmと見積もられる。この深さは、1-2原子層分に相当する。したがって、RHEPDは表面敏感であり、最表面の原子配置を精度よく決定することができる。本講演では、
Na線源を用いたRHEPD実験により明らかにした2つの表面系を取り上げる。1つはSi(111)-
-In表面でありロッキング曲線の解析から、基底構造がヘキサゴン構造から構成されることを明らかにした。もう1つはSi(111)-
-Ag表面であり、パターン解析から最表面のAg原子の配置を明らかにした。最近、我々は高エネルギー加速器研究機構(KEK)の低速陽電子実験施設にて、電子線形加速器を用いて発生した高強度・高輝度陽電子ビームを利用した新たなRHEPD装置を開発した。全反射条件下におけるSi(111)-
表面からの微弱な分数次の回折スポットの観測に成功した。この新たなRHEPD装置を用いた最表面構造解析の展開についても報告する。
Ge and Na sources前川 雅樹; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 505, p.012033_1 - 012033_4, 2014/04
被引用回数：6 パーセンタイル：89.18(Physics, Applied)Spin polarizations of electrostatic positron beams generated using a Ge and a Na sources with tungsten moderators were 47% and 30%, respectively. A comparable spin polarization (27%) was obtained with much reduced beam diameter (0.5 mm), when electromagnetic lenses, a Na source and a tungsten moderator were used. Replacing the tungsten moderator with a solid neon moderator in this system, the beam flux was significantly enhanced with maintaining the spin polarization. The Doppler broadening of annihilation radiation spectra of polycrystalline Fe measured using the above beams showed clear asymmetry upon field reversal.
兵頭 俊夫*; 深谷 有喜; 前川 雅樹; 望月 出海*; 和田 健*; 設楽 哲夫*; 一宮 彪彦*; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 505(1), p.012001_1 - 012001_5, 2014/04
被引用回数：9 パーセンタイル：93.91(Physics, Applied)反射高速陽電子回折(RHEPD)は1992年に提唱され、1998年に初めて実証された。それ以来、RHEPDは表面科学の分野へ多くの寄与を果たしている。最近、原子力機構のRHEPD装置を高エネルギー加速器研究機構低速陽電子実験施設に移設し、輝度増強した高強度陽電子ビームラインへの接続を行った。この陽電子ビームの高強度化により、鮮明なRHEPDパターンが得られるようになった。Si(111)-表面をテスト試料として用い、RHEPDパターンの観測を行った。陽電子のエネルギーは10kVに設定した。このエネルギーでは、全反射の臨界角は2
となる。全反射条件下の視射角1.3で観測したRHEPDパターンは、計算結果と非常によく一致することが分かった。全反射したRHEPDパターンは、本質的に付着原子と表面第一層の原子だけで決定できることも分かった。この手法により、最表面から内部へ向かった表面近傍の構造解析が可能である。我々はこの手法を全反射陽電子回折法と呼ぶ。
河裾 厚男; 前川 雅樹; 深谷 有喜; Zhang, H.; Li, H.; 関 剛斎*; 齊藤 英治*; 高梨 弘毅*
no journal, ,
本講演では(1)スピン偏極陽電子消滅法の基礎と、(2)その磁性表面と電流誘起表面スピン蓄積の研究への応用について述べる。我々は68Ge線源を用いて、3d及び4f強磁性体の陽電子消滅ドップラー拡がり測定を行った。その結果、スペクトルの磁場反転効果が物質の磁化とともに増大することが分かった。また4f強磁性体について磁場反転効果がキュリー点で消失することを見いだした。さらにドップラー拡がりスペクトルの磁場反転曲線がバンド構造の特徴を表していることが分かった。我々はさらに3d強磁性体の消滅寿命が磁場に依存することを見いだした。スピン偏極陽電子ビームを用いてPt, Au, Cu薄膜について電流誘起表面蓄積効果を調べたところ、Pt表面におけるスピン蓄積を見いだした。
